【講座主題】二維層狀范德華半導體材料的機遇與挑戰
【主講人】：Young Hee Lee （李永熙，中科院外籍院士、韓國科學技術翰林院院士、湖北工業大學教授、北京大學客座講席教授）
【講座時間】: 2025年9月19日 周五 14:30-16:00
【講座地點】: 主樓D260
【主講人簡介】
Young Hee Lee（李永熙），韓國國籍，低維材料物理學家，1955年7月出生于韓國。1982年在全北國立大學獲得學士學位，1982年和1986年分別在美國肯特州立大學獲得碩士和博士學位。曾任韓國基礎科學研究院集成納米結構物理中心主任，成均館大學能源科學系和物理系教授。2007年入選韓國科學技術翰林院院士，2020年入選發展中國家科學院院士，2021年入選中國科學院外籍院士。 現任湖北工業大學教授、北京大學客座講席教授。
李永熙教授長期致力于低維材料、物性及其應用研究，尤其在二維材料和異質結的生長領域取得了重要突破。他是晶圓級單晶單層/多層石墨烯的首個制備者，并率先在MoTe2中實現了從2H半導體到1T或1T'金屬相的轉變，提出了控制二維材料相變的新思路。他還發明了二維鐵磁半導體的生長技術，在V-WSe2中實現了室溫鐵磁特性，并在二維MoTe2和WSe2中利用載流子倍增效應實現了接近99%的能量轉換效率。李永熙教授在碳納米管應用領域也做出了重要貢獻，首次實現了基于單壁碳納米管的超級電容器，這項技術已廣泛應用于觸摸屏等領域。此外，他與三星公司合作，開發了32英寸FED平板顯示器，推動了碳納米材料在電子與能源領域的產業化。
李永熙教授曾多次獲得學術獎勵，包括2005年韓國物理學會科學獎、2008年科學與教育總統獎、2014年蘇堂獎和2017年中國科學院IMR愛因斯坦獎，并被科睿唯安評為“高被引科學家”多年。截至2025年9月，李永熙教授已發表600余篇學術論文，SCI引用超過4.7萬次，H指數為107。他的研究成果在納米科學與納米技術領域處于世界領先地位，并為韓國和全球的科技進步做出了巨大貢獻。
【講座內容】
自1991年碳納米管（CNTs）和2004年石墨烯被發現以來，隨后過渡金屬二硫屬化物（TMDs）等材料的出現，引發了層狀范德華材料在基礎科學和應用研究中的熱潮。由于CNTs和石墨烯在部分應用中的局限性，人們又廣泛探索了其他二維材料，如TMDs、六方氮化硼（hBN）以及黑磷（BP），在物理學、電子學和光電子學等領域不斷拓展新的方向。同時，這些材料在谷電子學、自旋電子學、扭曲電子學和軌道電子學等新興領域也展現出巨大潛力。其背后關鍵的物理機制包括強庫侖作用、減弱的電荷屏蔽效應、較高的激子束縛能，以及顯著的自旋–軌道耦合，為基礎研究和實際應用都提供了重要機遇。本次報告將重點介紹范德華半導體及其器件領域面臨的一些關鍵挑戰，包括歐姆接觸、載流子遷移率與開態電流、室溫鐵磁半導體、熱載流子太陽能電池，以及電子學中的玻色–愛因斯坦凝聚等問題。